相关证件：
会员类型：
会员年限：2年
张小龙 
电话：075513751085886
手机：13751085886
张小姐
电话：0755-83796468
手机：15217733867
阿龙
电话：0755-83796468
SFY3407AT-SOT23
WINSEMI/稳先微
P-MOS
普通型
贴片式
卷带编带包装
中功率
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 功率(Pd) | 1.2W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V,4.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id)提供比2DChiplet高出超过200倍的互连密度，以及比现有3D封装解决方案高出15倍的密度。作为Fabless和Foundry两大领域杰出的代表之一，这两家企业对未来半导体行业的发展方向做出的判断以及业内的普遍共识便是：先进封装技术的发展。芯片需求巨大，伴随5G建设加速、汽车电动智能化、高性能计算机群互联规模的不断扩大、物联网在各领域的广泛应用，半导体整体需求陡增。 |
2.4V@250u
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